특허권

3차원 불휘발성 메모리 소자의 제조방법

상품번호 2023060212142738
IPC 한국(KO) 등록
출원번호 1020110085602
공개번호 10-2013-0022744
등록번호 1018633670000
출원인 에스케이하이닉스 주식회사
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꼭 읽어보세요!

기술거래는 양방향 경매방식으로 이루어집니다.

기술을 매수한 당사자는 거래금액의 전부 혹은 10퍼센트(%)를 당일 본원에 입금하여야 하며, 10% 나머지 잔금은 거래일로부터 2일 이내(거래일 익일)에 납부하여야 합니다. 만약 위 지정 기간내에 매수자가 입금하지 않으면 거래는 무효가 되며, 잔금도 기한내에 입금되지 않으면 매도자로 귀속됩니다. 이는 매도자의 기한의 이익상실을 보장함 입니다.

기술거래의 수수료는 기술의 이전 및 사업화 촉진에 관한 법률 시행규칙 산업통상자원부령 제48호 의거 기술이전 금액의 13퍼센트∼기술이전 금액의 17.5퍼센트로 되어있지만, 본 거래사이트에서는 매도‧매수인 각각 10%로 합니다.
이때 매수인의 매수금액(당사로 입금되는 금액)에서 수수료 각각10% 인 20%를 공제한 후 매도인에게 계좌이체를 하여야 합니다.
또한 권리이전(특허)비용은 기술양수인(매수자)부담이며 그 비용은 별도입니다.

 
본 발명에 따른 3차원 불휘발성 메모리 소자의 제조방법은 희생막으로 채워진 트렌치를 포함하는 파이프 게이트막, 상기 파이프 게이트막 상부에 교대로 적층된 다수의 절연막 및 도전막, 및 상기 다수의 절연막 및 도전막의 상부에 적층되며 상기 희생막과 다른 물질인 하드 마스크 패턴을 포함하는 적층 구조를 형성하는 단계; 상기 하드 마스크 패턴을 마스크로 상기 다수의 절연막 및 도전막의 노출된 영역을 제거하여 상기 희생막을 노출시키는 한 쌍의 채널홀을 형성하는 단계; 상기 채널홀의 측벽 상에 보호막을 형성한 후, 상기 트렌치가 노출되도록 상기 희생막을 제거하는 단계; 상기 보호막을 제거하고, 상기 트렌치 및 채널홀을 포함한 전체 구조의 표면을 따라 터널 절연막, 전하 저장막, 및 블로킹 절연막의 적층막을 형성한 후, 상기 적층막의 상부에 채널막을 형성하는 단계; 및 상기 하드 마스크 패턴이 노출될 때 정지하는 평탄화 공정으로 상기 하드 마스크 패턴 상부의 상기 채널막, 및 상기 적층막을 제거하는 단계를 포함한다.

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