특허권

트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자

상품번호 2020070909153130
IPC 한국(KO) 등록
출원번호 1020100074404
공개번호 10-2012-0021454
등록번호 1019207090000
출원인 삼성전자주식회사
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꼭 읽어보세요!

기술거래는 양방향 경매방식으로 이루어집니다.

기술을 매수한 당사자는 거래금액의 전부 혹은 10퍼센트(%)를 당일 본원에 입금하여야 하며, 10% 나머지 잔금은 거래일로부터 2일 이내(거래일 익일)에 납부하여야 합니다. 만약 위 지정 기간내에 매수자가 입금하지 않으면 거래는 무효가 되며, 잔금도 기한내에 입금되지 않으면 매도자로 귀속됩니다. 이는 매도자의 기한의 이익상실을 보장함 입니다.

기술거래의 수수료는 기술의 이전 및 사업화 촉진에 관한 법률 시행규칙 산업통상자원부령 제48호 의거 기술이전 금액의 13퍼센트∼기술이전 금액의 17.5퍼센트로 되어있지만, 본 거래사이트에서는 매도‧매수인 각각 10%로 합니다.
이때 매수인의 매수금액(당사로 입금되는 금액)에서 수수료 각각10% 인 20%를 공제한 후 매도인에게 계좌이체를 하여야 합니다.
또한 권리이전(특허)비용은 기술양수인(매수자)부담이며 그 비용은 별도입니다.

 
트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 다층 구조를 갖는 산화물 채널층을 포함할 수 있다. 상기 채널층은 게이트절연층 측으로부터 순차로 배열되는 제1층 및 제2층을 포함할 수 있다. 상기 제1층은 도전체(conductor)일 수 있고, 상기 제2층은 상기 제1층보다 전기전도도가 낮은 반도체(semiconductor)일 수 있다. 상기 제1층은 게이트 전압 조건에 따라 공핍 영역(depletion region)이 될 수 있다.

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